免模具成型,研發(fā)迭代高效
無需定制硬質(zhì)沖壓模具,僅通過調(diào)整線路圖紙與曝光掩膜即可完成發(fā)熱回路布局修改,適配半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)階段多次溫控線路調(diào)試、分區(qū)加熱結(jié)構(gòu)改版,小批量試樣交期短,大幅縮短靜電吸盤整機(jī)驗(yàn)證周期。
冷加工無應(yīng)力,產(chǎn)品平整度優(yōu)異
整體為化學(xué)蝕刻冷加工成型,無機(jī)械沖壓應(yīng)力、激光高溫熔邊問題,成品線路平整無翹曲、邊緣無毛刺、無金屬碎屑,完1全契合半導(dǎo)體真空腔體超高潔凈度使用要求,杜絕粉塵污染腔體與晶圓。
大尺寸寬幅加工,適配大晶圓方案
最大加工幅面可達(dá) 600mm×900mm,輕松覆蓋 300mm 整盤環(huán)形、多分區(qū)金屬箔加熱線路加工,可直接落地 450mm 超大尺寸晶圓靜電吸盤配套加熱器定制。
靈活基材適配
支持兩種基材來料加工:裸銅箔直接蝕刻成型、PI 聚酰亞胺覆銅膜一體化蝕刻加工,可根據(jù)客戶絕緣封裝結(jié)構(gòu)、復(fù)合工藝自由選型,適配不同結(jié)構(gòu)靜電吸盤封裝工藝。
高精度均溫控溫
可根據(jù)晶圓溫度分布設(shè)計(jì)環(huán)形、扇形、多區(qū)獨(dú)立發(fā)熱線路,精準(zhǔn)補(bǔ)償?shù)入x子體、冷卻氣體帶來的局部溫差,將晶圓面內(nèi)溫差控制在工藝允許范圍內(nèi),提升刻蝕、鍍膜工藝一致性,有效提高晶圓良品率。
適配真空高溫嚴(yán)苛工況
整體結(jié)構(gòu)無應(yīng)力形變,與陶瓷基底貼合緊密,熱傳導(dǎo)效率高,真空高溫環(huán)境下不會(huì)出現(xiàn)脫層、翹邊,適配半導(dǎo)體工藝腔體長期連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)。
兼顧研發(fā)打樣與批量量產(chǎn)
既能滿足設(shè)備廠商新品研發(fā)階段小批量試樣定制,也可實(shí)現(xiàn)成熟機(jī)型穩(wěn)定量產(chǎn)供貨,柔性生產(chǎn)模式適配半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目不同階段需求。
8 英寸、12 英寸量產(chǎn)線靜電吸盤內(nèi)置加熱層;
下一代 18 英寸大尺寸晶圓研發(fā)型靜電卡盤;
刻蝕機(jī)、PVD/CVD 沉積設(shè)備、離子注入機(jī)溫控型靜電吸盤改造;
高1端半導(dǎo)體設(shè)備原廠新品研發(fā)溫控結(jié)構(gòu)驗(yàn)證。